スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉武賢次 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195941
Publication number (International publication number)：2003017491
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】膜厚均一性が高い酸化ハフニウムあるいは酸化ジルコニウムのゲート絶縁膜を成膜可能なスパッタターゲット、絶縁膜及び電子部品の提供。【解決手段】ハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの合金からなるスパッタターゲットであって、そのスパッタされる面の平均結晶粒径が500μm以下でありかつ平均結晶粒径のばらつきが20%以内であることを特徴とする、スパッタターゲット、酸素ガス雰囲気中で、上記スパッタターゲットを用いて成膜された酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウム膜からなることを特徴とするゲート絶縁膜、及び上記のゲート絶縁膜を具備することを特徴とする電子部品。

Claim (excerpt)：

ハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの合金からなるスパッタターゲットであって、そのスパッタされる面の平均結晶粒径が500μm以下でありかつ平均結晶粒径のばらつきが20%以内であることを特徴とする、スパッタターゲット。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 14/34 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 Y , C23C 14/34 A , H01L 29/78 301 G

F-Term (14)：

4K029BA43 , 4K029BC00 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 5F058BC03 , 5F058BF13 , 5F058BJ04 , 5F140AA19 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BE09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-268074
高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104942 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
高純度チタニウムスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-260384 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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