MIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001100401
Publication number (International publication number)：2002299614
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】欠陥が誘起され難くかつ水素や水分の耐性が強い金属酸化物をゲート絶縁膜として用いたMIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板101と、シリコン基板101上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜103と、ゲート絶縁膜103上に形成されたゲート電極104とを具備することを特徴とするMIS型電界効果トランジスタ。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とするMIS型電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

F-Term (59)：

5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BF80 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083EP42 , 5F083EP44 , 5F083GA06 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA07 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F101BA42 , 5F101BA45 , 5F101BA48 , 5F101BA62 , 5F101BC01 , 5F101BF09 , 5F101BH16 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG28 , 5F140BG42 , 5F140BG44 , 5F140BG52 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-252448 Applicant：株式会社東芝
薄膜絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-348790 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-065742 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Show all

Return to Previous Page