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J-GLOBAL ID：200903038191010470

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor：
安齋 信一

About 安齋 信一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001036563
Publication number (International publication number)：2002246679
Application date： Feb. 14, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：
【要約】【課題】 歩留まりを向上させると共に本来的なレーザ特性を発揮することが可能となる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11の上に形成した多数の素子本体10において、バー状に分割する際の分離位置101を中心に露出領域102を設ける。露出領域102は、素子本体10の絶縁膜19や電極22〜25がウエットエッチング等により除去された領域であり、幅Wは10μm以上である。よって、分割の際に、分離位置101にスクライバを入れても、スクライバは絶縁膜19や電極22〜25に接触することがないので、共振器端面となる分離面にこれらが付着して平滑性が低下することが防止される。
Claim (excerpt)：
側面に共振器端面を有する素子本体と、この素子本体の表面領域に、前記共振器端面との間に所定幅の露出領域が存在するように設けられた絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。
F-Term (11)：
5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34 ,  5F073EA15 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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