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J-GLOBAL ID：200903038242008769

熱電素子モジュール及びその製法

Inventor：
中西 幹育

About 中西 幹育


Applicant, Patent owner：
鈴木総業株式会社

About 鈴木総業株式会社


Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001375698
Publication number (International publication number)：2003086850
Application date： Dec. 10, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 熱効率に優れ、熱電素子モジュールの強度を向上することができると共に、小型化や量産性が向上し製造が容易である高性能の熱電素子モジュール及びその製法を提供する。【解決手段】 複数のn型及びp型の熱電半導体素子を行列状に配設し、熱電半導体素子端面と電極面と接合してなる熱電素子モジュールにおいて、熱電半導体素子を行及び列においてそれぞれ複数ずつ配列するにあたり、プレート材により行方向位置を規律された熱電半導体素子が、該プレート材が列方向に重ね合わされることにより列方向位置も規律されて、熱電半導体素子を行列状に配設拘束してなることを特徴とする熱電素子モジュール及びその製法などを提供した。
Claim (excerpt)：
複数のn型及びp型の熱電半導体素子を行列状に配設し、熱電半導体素子端面と電極面と接合してなる熱電素子モジュールにおいて、熱電半導体素子を行及び列においてそれぞれ複数ずつ配列するにあたり、プレート材により行方向位置を規律された熱電半導体素子が、該プレート材が列方向に重ね合わされることにより列方向位置も規律されて、熱電半導体素子を行列状に配設拘束してなることを特徴とする熱電素子モジュール。
IPC (3)：
H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00
FI (3)：
H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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