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J-GLOBAL ID:200903038297210214
基板処理法及び基板処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人ウィンテック
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003190654
Publication number (International publication number):2005026478
Application date: Jul. 02, 2003
Publication date: Jan. 27, 2005
Summary:
【課題】乾燥ガスが複数枚の基板集合体に均一且つ安定に供給できるようにした基板処理法および装置を提供することにある。【解決手段】処理槽10を洗浄処理部15と乾燥処理部30とに区分し、両処理部の接合部に隙間を形成し、この隙間をシンク29に連通させ、基板乾燥時に、基板を洗浄処理部から該乾燥処理部へ移動させ、隙間が形成された下方に多孔板28を挿入し、乾燥処理部30の内圧がシンク29の内圧より高く、かつ洗浄処理部15の内圧が乾燥処理部30の内圧より低くなるようにして、乾燥ガスを該基板に噴射するようにする。この場合、前記多孔板28は、所定径の小孔を複数個設けたパンチングプレートであることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
処理槽を洗浄処理部と乾燥処理部とに区分し、該両処理部の接合部に隙間を形成し、該隙間をシンクに連通させ、基板乾燥時に、該基板を該洗浄処理部から該乾燥処理部へ移動させ、該隙間が形成された下方に多孔板を挿入し、該乾燥処理部の内圧がシンクの内圧より高く、かつ該洗浄処理部の内圧が乾燥処理部の内圧より低くなるようにして、乾燥ガスを該基板に噴射させることを特徴とする基板処理法。
IPC (2):
FI (3):
H01L21/304 651L
, H01L21/304 651J
, B08B5/02 A
F-Term (13):
3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AB08
, 3B116AB44
, 3B116BB02
, 3B116BB03
, 3B116BB11
, 3B116BB82
, 3B116BB88
, 3B116CC01
, 3B116CC03
, 3B116CD11
, 3B116CD43
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-259025
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-259026
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-011553
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
蒸気乾燥法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-202062
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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基板乾燥装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-306735
Applicant:株式会社ダン科学
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ウエハ乾燥装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-110638
Applicant:株式会社スーパーシリコン研究所
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半導体ウェーハを乾燥するための乾燥システム及びこれを用いたウェーハ乾燥方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-252710
Applicant:三星電子株式会社
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