電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004030307
Publication number (International publication number)：2004266272
Application date： Feb. 06, 2004
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：

【課題】キャリア移動度とオンオフ比のいずれも高性能であり汎用性の高い有機高分子半導体を半導体層とする電界効果型トランジスタおよびその電界効果型トランジスタを用いた液晶表示装置を開発する。【解決手段】ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/06 601N , H01L29/28

F-Term (25)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭64-36076号公報(特許請求の範囲)
特開平1-259563号公報(特許請求の範囲)
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203670 Applicant：日本電気株式会社

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