半導体薄膜形成装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999194024
Publication number (International publication number)：2001023918
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する技術を提供すると共に、大面積基板上に再現性よくその技術を応用するための技術/装置を提供する。又、それらの良質なシリコン膜上に良質なゲート絶縁膜を形成する手段を提供し、良好な半導体-絶縁膜界面すなわち優れた特性を有する電界効果型トランジスタを製造する装置を提供する。【解決手段】光マスク上に形成したパターンをシリコン薄膜上に投影露光して、シリコン薄膜上の所定の領域を改質する半導体薄膜形成装置において、露光されるべき光を、上記光マスク上の所定の領域において、均一化させる機構opt20'を有する。トラップ準位密度が1012 cm-2より低い値を示す結晶化シリコン膜の提供が可能になるとともに低界面準位密度を示すシリコン-絶縁膜界面の提供を可能にした。

Claim (excerpt)：

光マスク上に形成した複数のパターンを半導体薄膜に投影露光して、半導体薄膜の所定の領域を改質する半導体薄膜形成装置において、露光されるべき光を、上記光マスク上の所定の領域において、該領域内の光の強度分布が該領域内の光の平均強度の±11.2%以内の範囲に含まれるように、均一化させる機構を有することを特徴とする半導体薄膜形成装置。

IPC (7)：

H01L 21/268 , C23C 14/28 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00

FI (7)：

H01L 21/268 G , H01L 21/268 J , C23C 14/28 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 3/00 B , H01L 29/78 627 G

F-Term (122)：

4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K029HA00 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA12 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB06 , 5F045AB10 , 5F045AB14 , 5F045AB22 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DB02 , 5F045DQ15 , 5F045DQ17 , 5F045EB02 , 5F045EB08 , 5F045EE04 , 5F045EE12 , 5F045EG03 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045EH18 , 5F045EM04 , 5F045EN04 , 5F045HA11 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F045HA25 , 5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052FA05 , 5F052FA07 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F072AA06 , 5F072HH07 , 5F072KK30 , 5F072MM07 , 5F072MM08 , 5F072MM12 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072YY08 , 5F110AA06 , 5F110AA12 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ17 , 5F110HJ18 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP31 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体素子の製造方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-194598 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
特開昭57-181537
半導体材料の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-350547 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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