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J-GLOBAL ID:200903038626489780
半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
安倍 逸郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999339897
Publication number (International publication number):2001156030
Application date: Nov. 30, 1999
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 研磨レートが高められ、同時に研磨時の加工ダメージも低減される半導体ウェーハの研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨砥粒を含むスラリーを供給しながら研磨ローラ10A,10Bを回転させ、回転中の研磨ローラ10A,10Bと、シリコンウェーハWの表裏面,面取り面とを接触させて研磨する。研磨ローラ10A,10Bは、従来の研磨布に比べ硬度が大きく研磨速度が速い。結果、研磨レートが高まる。しかも、研磨ローラ10A,10Bは合成樹脂製のローラ本体の研磨作用面に粒径1μm以下の研磨砥粒が固定されたローラである。よって微細な研磨砥粒でシリコンウェーハWの面が高精度に研磨され、その時の加工ダメージも抑えられる。
Claim (excerpt):
半導体ウェーハの所定の面を研磨する半導体ウェーハ用研磨ローラであって、合成樹脂製のローラ本体の研磨作用面に微細な研磨砥粒が固定された半導体ウェーハ用研磨ローラ。
IPC (5):
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 621
, B24B 9/00 601
, B24B 37/00
, B24D 3/00 350
FI (5):
H01L 21/304 622 F
, H01L 21/304 621 E
, B24B 9/00 601 H
, B24B 37/00 Z
, B24D 3/00 350
F-Term (20):
3C049AA03
, 3C049AB01
, 3C049AB06
, 3C049AC04
, 3C049CA01
, 3C049CB01
, 3C058AA04
, 3C058AA09
, 3C058AB01
, 3C058AB06
, 3C058AC04
, 3C058CB10
, 3C058DA17
, 3C063AA02
, 3C063AB03
, 3C063BB02
, 3C063BB03
, 3C063BB07
, 3C063BC03
, 3C063EE10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開昭63-150162
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半導体素子類の研磨方法およびそれに用いる樹脂砥石の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-139454
Applicant:日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所
-
研磨加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-034571
Applicant:株式会社日立製作所
-
研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-110789
Applicant:ソニー株式会社
-
特開昭63-150162
-
ウェーハ外周部の研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-340718
Applicant:信越半導体株式会社, 不二越機械工業株式会社
-
ウェーハ外周部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-135422
Applicant:信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社
-
半導体ウエハの面取加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-227108
Applicant:川崎製鉄株式会社
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