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J-GLOBAL ID：200903038634245700

結晶薄膜半導体装置およびその製造方法

Inventor： 岡 史人 ,  村松 信一 ,  佐々木 唯
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003118075
Publication number (International publication number)：2004327578
Application date： Apr. 23, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：

【課題】変換効率10%を超える高変換効率の太陽電池等を構成し得る結晶薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に積層された複数の半導体層のうち基板01に接する側の第一の半導体層を、初めは非晶質層04として形成し、これに連続的な光線を与えて融解し冷却することによって結晶化し、この結晶化した半導体層04aを下地層として用い、その上部に結晶半導体層05、06をエピタキシャル成長する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に導電型もしくはドーパントの濃度もしくは形成方法が異なる複数の半導体層が積層された結晶薄膜半導体装置の製造方法において、 上記複数の半導体層のうち基板に接する側の第一の半導体層を、初めは非晶質層として形成し、これに連続的な光線を与えて融解し、これを冷却することによって結晶化した半導体層として形成し、 この結晶化した半導体層を下地層として用い、その上部に結晶半導体層をエピタキシャル成長することを特徴とする結晶薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L21/20 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04

FI (10)：

H01L21/20 ,  C23C14/14 A ,  C23C14/14 E ,  C23C14/58 C ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L29/78 627G ,  H01L31/04 A ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E

F-Term (72)：

4K029BA35 ,  4K029BB10 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DB21 ,  4K029GA01 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030DA09 ,  4K030HA03 ,  4K030HA04 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051CB25 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB06 ,  5F052DB07 ,  5F052DB10 ,  5F052EA11 ,  5F052EA13 ,  5F052FA19 ,  5F052GA01 ,  5F052HA01 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F052KA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB20 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076932   Applicant：三洋電機株式会社
• 薄膜多結晶シリコン光電変換装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234467   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-183391   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-117544   Applicant：シャープ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-048755   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体層の形成方法、多結晶半導体TFT、及びビームアニール装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228429   Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 特開平2-054971
  
• 特開平1-187982
  
• 特開平2-087678