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J-GLOBAL ID：200903012194348030

半導体装置の作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
三津木 亨

About 三津木 亨

, 
高野 圭恵

About 高野 圭恵


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002048755
Publication number (International publication number)：2002329668
Application date： Feb. 25, 2002
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体膜の結晶化法として、レーザ光の照射により行う方法が挙げられる。しかしながら、半導体膜にレーザ光を照射すると、半導体膜が瞬間的に溶融されて局所的に膨張したり、基板と半導体膜との温度勾配が急峻であるため前記半導体膜に歪みが生じ、得られる結晶質半導体膜の膜質を低下させてしまう場合がある。【解決手段】本発明は、半導体膜に対してレーザ光による結晶化を行った後に、加熱処理により前記半導体膜を加熱することで、前記半導体膜の歪みを低減することを特徴とする。レーザ光による照射が局所的に加熱するのに対し、加熱処理は基板および半導体膜を全体的に加熱するため、半導体膜に形成された歪みが低減され、該半導体膜の物性を向上することを可能とする。
Claim (excerpt)：
絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成し、加熱処理を行なって、前記レーザ光の照射により前記結晶質半導体膜に形成された歪みを低減し、前記加熱処理後の前記結晶質半導体膜にエッチングを行なって島状の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (7)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/324 X ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 21/26 F
F-Term (102)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA04 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA16 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB04 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA01 ,  5F052CA07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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