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J-GLOBAL ID:200903038732056559

太陽電池セルの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 野河 信太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999145105
Publication number (International publication number):2000332274
Application date: May. 25, 1999
Publication date: Nov. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 表面に電極が形成された半導体基板、すなわち太陽電池セル本体の反りを除去して、カバーガラスのような支持板を接着する際の接着剤の使用量を減らし、軽量で薄く、個々の製品による厚さも均一な太陽電池セルを製造すること。【解決手段】 太陽電池セルの製造方法は、厚さが200μm以下の半導体基板を用いて製造される太陽電池セルの製造工程において、太陽電池セル本体を1回以上-70°C以下に冷却することにより反りを除去し、その後50°Cから常温の範囲内で太陽電池セル本体を物理的に支持または保護できる支持板を太陽電池セル本体へ接着する。
Claim (excerpt):
厚さが200μm以下の半導体基板を用いて製造される太陽電池セルの製造工程において、太陽電池セル本体を1回以上-70°C以下に冷却することにより反りを除去し、その後50°Cから常温の範囲内で太陽電池セル本体を物理的に支持または保護できる支持板を太陽電池セル本体へ接着することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
F-Term (2):
5F051BA11 ,  5F051EA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 特開平3-296278
  • 太陽光発電装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-041763   Applicant:日本電信電話株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-283692   Applicant:鐘淵化学工業株式会社
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Cited by examiner (4)
  • 特開平3-296278
  • 太陽光発電装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-041763   Applicant:日本電信電話株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-283692   Applicant:鐘淵化学工業株式会社
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