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J-GLOBAL ID：200903038783577642

スパッタリングターゲットの製造方法

Inventor：
岡本 真人

About 岡本 真人

, 
久保 敬次

About 久保 敬次

, 
木村 伸彦

About 木村 伸彦

, 
前川 一彦

About 前川 一彦


Applicant, Patent owner：
クラレルミナス株式会社

About クラレルミナス株式会社


Agent (6)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  松田 豊治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006322935
Publication number (International publication number)：2008138228
Application date： Nov. 30, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：
【課題】硫化物を主体とする薄膜の、均一で再現性の高い工業的生産性に優れた製造を可能にする、スパッタリングターゲットの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】硫化物を主とする固形物と溶剤とを混合して第1混合物とする第1混合工程を含み、前記第1混合工程の温度、圧力下における前記溶剤の硫黄の溶解度は2wt%以上であり、前記混合する溶剤は前記固形分1重量部に対し0.1重量部以上10重量部以下とし、主として硫化物から成る硫黄を含有したスパッタリングターゲットを製造する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
主として硫化物から成る硫黄を含有したスパッタリングターゲットの製造方法であって、硫化物を主とする固形物と硫黄を含む溶剤とを混合して第1混合物とする第1混合工程を含み、前記第1混合工程の温度、圧力下における前記溶剤に対する硫黄の溶解度は2wt%以上であり、前記混合する溶剤は前記固形物1重量部に対し0.1重量部以上10重量部以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (5)：
C23C 14/34 ,  C09K 11/56 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/08 ,  C04B 35/547
FI (5)：
C23C14/34 A ,  C09K11/56 ,  C09K11/02 A ,  C09K11/08 A ,  C04B35/00 T
F-Term (13)：
4G030AA56 ,  4G030AA61 ,  4G030AA67 ,  4G030BA16 ,  4G030GA11 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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