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J-GLOBAL ID：200903038808887269

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038198
Publication number (International publication number)：1998242516
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 P型ボンディング用電極2bの下にショットキー電極2aを形成し、P型ボンディング用電極直下での電流注入を阻止する。このため、P型ボンディング用電極2bの周辺部の透光性電極(オーミック電極)1での電流密度と発光密度が高くなるので、外部発光効率が良好になる。
Claim (excerpt)：
基板上にN型窒化ガリウム系化合物半導体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にP型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の該P型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透光性電極と該P型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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