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J-GLOBAL ID:200903038854526866
ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川崎 実夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000294831
Publication number (International publication number):2002110626
Application date: Sep. 27, 2000
Publication date: Apr. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】基板の表面と遮断板の下面との距離を0.5mm以下にする。【解決手段】このベベルエッチング装置は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、処理時にスピンチャック1に保持されてウエハWとともに回転される円板状の遮断板2とを備えている。遮断板2は、シリコンを含む材料を用いて、ウエハWとほぼ同じ厚みを有する円板状に形成されている。遮断板2の中心部には、たとえば、直径5mm程度の円形状の開口21が貫通して形成されている。処理時には、スピンチャック1に保持されたウエハWおよび遮断板2が高速回転されるとともに、この回転しているウエハWの裏面に向けて、チャック軸11の上端に配置されたノズル16からエッチング液が吐出される。また、吸着部材34の内側の空間からN2がブローされ、このN2が遮断板2の開口21からウエハWの表面に供給される。
Claim (excerpt):
基板上面に気体を供給すると同時に基板下面にエッチング液を供給することにより、基板上面の周縁部および下面に対して選択的にエッチング処理を施すためのベベルエッチング装置であって、基板をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、この基板保持回転手段により回転される基板の下面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、基板の上面に対して所定間隔の隙間を空けて対向するように上記基板保持回転手段上に載置されて、上記基板保持回転手段により基板とともに回転され、基板の下面から上面への上記エッチング液の回り込みを制御するための気体を当該基板の上面に供給するための開口部がほぼ中央に形成された遮断板とを含むことを特徴とするベベルエッチング装置。
IPC (4):
H01L 21/306
, B05D 1/40
, B05D 7/00
, B05C 11/08
FI (4):
B05D 1/40 A
, B05D 7/00 H
, B05C 11/08
, H01L 21/306 R
F-Term (11):
4D075AC64
, 4D075AC79
, 4D075DA06
, 4D075DC22
, 4F042AA07
, 4F042EB24
, 4F042EB28
, 5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043EE08
, 5F043GG10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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半導体ウェハ処理用反応炉
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-537096
Applicant:セミトゥール・インコーポレイテッド
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基板処理方法及び基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-181685
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-058066
Applicant:株式会社日立製作所
-
基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-038219
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
-
被処理物の流体処理方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-168556
Applicant:国際電気株式会社
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