半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996219314
Publication number (International publication number)：1998051005
Application date： Aug. 01, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【目的】汚染防止により信頼性の高い半導体装置およびその作製方法を提供する。【構成】ガラス基板101上に形成された結晶性珪素膜104に対して、パターニング前に予め熱酸化処理を施しておく。そして、そのままパターニング工程を経て島状半導体層105を形成する。そのため、パターニング工程の間も島状半導体層105の主表面は熱酸化膜106が保護しているので、外部環境からの汚染を防ぐことが可能である。

Claim (excerpt)：

絶縁性を有する基板上に形成された活性層と、前記活性層を覆うゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を少なくとも有する半導体装置において、前記ゲイト絶縁膜は少なくともその一部に前記活性層を熱酸化して得られる熱酸化膜を有し、前記熱酸化膜は前記活性層の主表面のみに接して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-264588 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331864 Applicant：ソニー株式会社
液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-285045 Applicant：三洋電機株式会社

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