Pat
J-GLOBAL ID:200903038954123769
パターン生成装置およびパターン形状評価装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
井上 学
, 戸田 裕二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008031314
Publication number (International publication number):2009194051
Application date: Feb. 13, 2008
Publication date: Aug. 27, 2009
Summary:
【課題】 設計データや良品パターンを参照パターンとして、電子デバイスのパターン形状を評価する方法があるが、設計データや良品パターンでは、電子デバイスの製造条件に適合した形状を正確に定義することが困難であり、パターンの形状を高精度に評価することができない。【解決手段】 電子デバイスの回路パターンの形状を評価する方法であって、少なくとも2つ以上の回路パターンの輪郭データから回路パターンの輪郭分布データを生成する手段と、前記輪郭分布データから、パターンの形状評価に用いる参照パターンを生成する手段と、前記参照パターンと評価対象パターンの比較によってパターンの形状を評価する手段を有することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
電子デバイスの回路パターンの形状評価に利用する参照パターンを生成する装置であって、少なくとも2つ以上の回路パターンの輪郭データから回路パターンの輪郭分布データを生成する輪郭分布データ生成手段と、前記輪郭分布データから、パターン検査に用いる参照パターンを生成する参照パターン生成手段と、を有することを特徴としたパターン生成装置。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (20):
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001GA12
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001PA11
, 2G001QA01
, 4M106AA01
, 4M106AA09
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB02
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DJ15
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-290302
Applicant:株式会社日立製作所
-
画像データ比較装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-049264
Applicant:富士通株式会社
-
パターン検査方法及びパターン検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-124044
Applicant:日本アビオニクス株式会社
-
マスク検査方法及びマスク検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-183152
Applicant:凸版印刷株式会社
-
パターン検査装置、パターン検査方法および記録媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-258234
Applicant:株式会社ナノジオメトリ研究所
Show all
Cited by examiner (4)