Pat
J-GLOBAL ID：200903039061112323

半導体発光装置

Inventor：
佐野 武志

About 佐野 武志


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (1)： 清水 敬一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999198925
Publication number (International publication number)：2001024236
Application date： Jul. 13, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光装置の光取出効率を改善する。【解決手段】 一対の配線導体(2, 3)と、一対の配線導体(2, 3)にそれぞれ電気的に接続された複数の電極(5, 6)を有する半導体発光素子(4, 4')と、半導体発光素子(4, 4')の発光部の少なくとも一部を被覆する内部光透過層(10)と、半導体発光素子(4, 4')、配線導体(2, 3)の端部及び内部光透過層(10)を被覆する外部光透過層(11)とを半導体発光装置に設ける。内部光透過層(10)の屈折率は外部光透過層(11)の屈折率より高いので、光取出効率ηdomeが大きくなる。
Claim (excerpt)：
一対の配線導体と、一対の前記配線導体にそれぞれ電気的に接続された複数の電極を有する半導体発光素子と、該半導体発光素子の発光部の少なくとも一部を被覆する内部光透過層と、前記半導体発光素子、配線導体の端部及び前記内部光透過層を被覆する外部光透過層とを備え、前記半導体発光素子から照射された光が前記内部光透過層及び前記外部光透過層を経て外部に放出される半導体発光装置において、前記内部光透過層の屈折率は前記外部光透過層の屈折率より高いことを特徴とする半導体発光装置。
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA38 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM