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J-GLOBAL ID：200903039120550178

発熱体付きメモリ記憶デバイス

Inventor：
エイブラハム、デビッド、ウィリアム

About エイブラハム、デビッド、ウィリアム

, 
トロイルード、フィリップ、ルイス

About トロイルード、フィリップ、ルイス


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション


Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004500299
Publication number (International publication number)：2005524225
Application date： Nov. 15, 2002
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：
【課題】可変磁気領域を有する記憶セルを含むメモリ記憶デバイスを提供すること。【解決手段】可変磁気領域は、温度変化に応答する磁化状態を有する材料を含む。また、本メモリ記憶デバイスは発熱体を含む。発熱体は、記憶セルの可変磁気領域の温度を選択的に変えるように記憶セルに近接している。直接に電流を流して記憶セルを加熱するのとは対照的に、発熱体を介して記憶セルを加熱することで、記憶セルの製造により多くの自由度が与えられる。
Claim (excerpt)：
メモリ記憶デバイスであって、 a)温度変化に応答する磁化状態を有する材料を含む可変磁気領域を備える記憶セルと、 b)前記記憶セルの前記可変磁気領域の温度を選択的に変えるための、前記記憶セルに近接した発熱体と、 を備えるメモリ記憶デバイス。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z
F-Term (5)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第5,650,958号
  • 米国特許第5,640,343号
  • 米国特許出願番号第09/708,253号
Cited by examiner (5)
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