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J-GLOBAL ID：200903039354843780

熱感受性非導電性基板上の半導体フィルムを熱処理するための方法および装置

Inventor：
ヒョン ジュン キム

About ヒョン ジュン キム


Applicant, Patent owner：
ヒョン ジュン キム

About ヒョン ジュン キム


Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001187852
Publication number (International publication number)：2003007638
Application date： Jun. 21, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、熱感受性非導電性基板が最小の熱収支で必要とされる際に、半導体フィルムを熱処理する方法および装置に関する。より詳しくは、液晶ディスプレー(LCD)、有機発光ダイオード(OLED)および太陽電池への種々の用途のためのガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスター(ポリ-SiTFT)およびPNダイオードに関する。【解決手段】 本発明の方法および装置により、半導体フィルムは、熱感受性基板に損傷を与えることなく熱処理されるであろう。例えば、ガラスの使用が可能な最小の熱収支で、非晶質シリコンフィルムが結晶化され、ガラスの使用が可能な最小の熱収支で、ドーパント活性化の速度が向上される。
Claim (excerpt)：
熱感受性非導電性基板上の半導体フィルムを熱処理する方法であって、(a)サセプターに載置した非導電性基板上の半導体フィルムに極めて近接して誘導コイルを設置し、その際、上記誘導コイルの巻き形態は、インダクターの電流方向が上記半導体フィルムの面内方向に平行に並ぶように配置される工程、および(b)交流を上記誘導コイルに誘導して、半導体フィルムが誘導加熱される程度に上記サセプターによって加熱された上記半導体フィルムに、交番磁場を誘導する工程を含む方法。
IPC (5)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 6/10 341
FI (5)：
H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20 ,  H05B 6/10 341 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F
F-Term (27)：
3K059AA08 ,  3K059AB17 ,  3K059AB19 ,  3K059AB22 ,  3K059AD03 ,  3K059CD75 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA18 ,  5F052AA22 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F052JA07 ,  5F052JA09 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110PP01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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