成膜方法及び装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998308668
Publication number (International publication number)：2000138190
Application date： Oct. 29, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】形成したバリアメタル膜が自然酸化等の影響を受けないよう、バリアメタル膜形成後に、金属膜の成膜を行うことができる成膜方法及び装置を提供すること。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、被処理体W上にバリアメタル膜3を形成した後、金属膜4,5を形成する成膜方法において、バリアメタル膜3の形成から金属膜4,5の形成までの一連の処理を大気から遮断した環境下で行うことを特徴としている。より具体的には、バリアメタル膜3の形成をスパッタリング装置等の第1装置14で行い、金属膜4,5の形成を別の装置16,26で行うこととし、且つまた、被処理体Wの搬送を、大気から遮断された搬送路12,28,36を通して行うことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

被処理体上にバリアメタル膜を形成した後、金属膜を形成する成膜方法において、前記バリアメタル膜の形成から前記金属膜の形成までの一連の処理を大気から遮断した環境下で行う成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/288 Z , H01L 21/285 301 R , H01L 21/88 R

F-Term (21)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104HH16 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ31 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ98 , 5F033XX09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

埋め込み導電層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-224954 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-119462 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-125681

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