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J-GLOBAL ID：200903074434474662

薄膜気相成長方法

Inventor： 大塚 信幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996292565
Publication number (International publication number)：1998135154
Application date： Nov. 05, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄膜気相成長方法に関し、薄膜を気相成長させる工程と工程の間に、原料供給系を取り外すことなく付着物を除去する。【解決手段】 基板上へ薄膜を成長させる工程と工程の間に、原料供給系1へ液体洗浄剤2を供給する。

Claim (excerpt)：

基板上へ薄膜を成長させる工程と工程の間に、原料供給系へ液体洗浄剤を供給することを特徴とする薄膜気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 成膜処理室への液体材料供給装置、その使用方法及びその配管構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-170082   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-142715   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-246188   Applicant：アネルバ株式会社
• 処理ガス供給装置のクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-351796   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 川崎製鉄株式会社