縮小された活性領域を有する赤外放射検出器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997521378
Publication number (International publication number)：2000501832
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】マイクロブリッジ検出器は、その画素収集領域よりも小さい活性領域を具備している。マイクロブリッジ検出器は、第1のレベルの半導体基板と、半導体基板上に配置されたマイクロブリッジレベルとを含んでいる。マイクロブリツジレベルは、マイクロブリッジ検出器の活性領域の四角形領域よりも大きい画素収集領域を有する活性領域を含んでいる。さらに、下方伸延脚部は、マイクロブリッジレベルの連続部であり、マイクロブリッジレベルと半導体基板との間に熱隔離ギャップが存在するように、半導体基板上にマイクロブリッジレベルを支持している。さらに、下方伸延脚部内に導電性経路が含まれており、この導電性経路はマイクロブリッジレベル内の活性領域を半導体基板に接続している。本装置では、マイクロブリッジ検出器には、その充填率よりも大きい画素収集領域が設けられており、これによって増強された光学収集感度が与えられている。さらに、本装置では、マイクロブリッジ検出装置は、マイクロブリッジレベルを小さくする必要なく活性領域をより小さくして製造することができ、よって、製造技術には制限されない。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に配置されたマイクロブリッジであって、マイクロブリッジ検出器の画素収集領域よりも小さい活性領域を含むマイクロブリッジと、前記マイクロブリッジの連続部であり、前記マイクロブリッジと前記半導体基板との間に熱隔離ギャップが存在するように前記半導体基板上にマイクロブリッジを支持する下方伸延脚部と、前記活性領域を前記半導体基板に接続する前記下方伸延脚部内に含まれている導電性経路とを備えているマイクロブリッジ検出器。

IPC (6)：

G01J 1/44 , G01J 1/02 , G01J 5/16 , G01J 5/48 , H01L 31/0264 , H01L 31/10

FI (7)：

G01J 1/44 P , G01J 1/02 H , G01J 1/02 Q , G01J 5/16 , G01J 5/48 A , H01L 31/08 N , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

赤外線センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-249027 Applicant：テルモ株式会社
赤外線センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-183116 Applicant：日本電気株式会社
特表平7-509057

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