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J-GLOBAL ID：200903039504788627

レーザビームを使用した加工機

Inventor：
竹内 雅哉

About 竹内 雅哉

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金内 靖臣

About 金内 靖臣

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永井 祐介

About 永井 祐介


Applicant, Patent owner：
株式会社ディスコ

About 株式会社ディスコ


Agent (1)： 小野 尚純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002131776
Publication number (International publication number)：2003320466
Application date： May. 07, 2002
Publication date： Nov. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウエーハの表面に積層されている低誘電率絶縁体を、半導体回路を劣化せしめることなく、ストリートに沿って除去することができる加工機を提供する。【解決手段】 被加工物(半導体ウエーハ34)にレーザビームを照射するレーザビーム加工手段(64、164)を具備する。レーザビーム加工手段はレーザビーム発振手段(68)、レーザビーム変調手段(70)及びレーザビーム照射手段(78)を含んでいる。レーザビーム変調手段(70)は、レーザビーム発振手段によって発振されたレーザビームをパルス幅が1000ps以下のパルスレーザにせしめるレーザビームパルス幅設定手段(74)を含んでいる。
Claim (excerpt)：
被加工物を保持するための被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザビームを照射して被加工物を加工をするためのレーザビーム加工手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物とこれに照射されるレーザビームとを相対的に移動せしめる移動手段とを具備し、該レーザビーム加工手段はレーザビーム発振手段、該レーザビーム発振手段によって発振されたレーザビームを変調するためのレーザビーム変調手段、及び該レーザビーム変調手段によって変調されたレーザビームを該被加工物保持手段に保持されている被加工物に照射するためのレーザビーム照射手段を含む加工機において、該レーザビーム変調手段は、該レーザビーム発振手段によって発振されたレーザビームをパルス幅が1000ps(ピコ秒)以下のパルスレーザビームにせしめるレーザビームパスル幅設定手段を含んでいる、ことを特徴とする加工機。
IPC (2)：
B23K 26/00 ,  H01L 21/301
FI (2)：
B23K 26/00 D ,  H01L 21/78 B
F-Term (7)：
4E068AA03 ,  4E068AD00 ,  4E068AH00 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA07 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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