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J-GLOBAL ID：200903039750850668
半導体ウエハの処理装置、温度測定用プロ-ブ及びその温度測定方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萼 経夫 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999358754
Publication number (International publication number)：2000200815
Application date： Dec. 17, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】低圧処理において用いる、改良された熱応答性を改良した温度プローブとその温度測定方法を提供すること。【解決手段】改良された熱応答性を有する低圧処理用の温度プローブを用い、流体がプローブヘッド内の流体搬送通路に供給されて、プローブヘッド30と半導体ウエハ50との間の圧力を増加し、両者間の熱伝導率を増加させる。このための処理装置は、処理室40と、この処理室に周囲処理圧力の気体環境を供給する処理気体入口42と、処理する半導体ウエハに接触し、プローブ内部と連通する流体搬送通路とウエハ接触面を有する温度プローブ30と、接触面の上方の圧力を周囲処理圧力よりも上昇させるためにプローブ内の通路を通じて気体を供給する気体源52とを有する。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハの温度を測定するプローブであって、半導体ウエハ(50)に接触する平らな接触面を有しかつ内部に配置された温度センサ(14,67,84)を有するプローブヘッド(10,24,30,66,80)と、前記接触面から前記プローブヘッドの他の面に連通する、プローブヘッド内の流体搬送通路(16,22,32,64,88)と、前記プローブヘッドの支持体(34,64,65,92) と含むことを特徴とするプローブ。
IPC (5)：
H01L 21/66
, G01K 1/08
, G01K 7/00 341
, H01L 21/205
, H01L 21/302
H01L 21/66 T
, G01K 1/08 R
, G01K 7/00 341 P
, H01L 21/205
, H01L 21/302 Z
Cited by examiner (6)
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特開昭59-215718
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基板表面検査方法および該方法に用いる装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-285793
Applicant：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
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ウエハの温度制御方法及び装置
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平9-502125
Applicant：ラムリサーチコーポレイション
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