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J-GLOBAL ID：200903039775758197

窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス

Inventor： ユ チェン シェン ,  ミラ エス ミスラ
Applicant, Patent owner： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
Agent (1)： 中村 稔 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002321683
Publication number (International publication number)：2003152219
Application date： Nov. 05, 2002
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板と、基板の上にある第1導電型層と、第1導電型層の上にあるスペーサ層と、スペーサ層の上にある活性領域と、活性領域の上にあるキャップ層と、キャップ層の上にある第2導電型層とを含むIII族窒化物発光デバイスが開示される。【解決手段】 活性領域は、量子井戸層と、インジウムを含有する障壁層とを含む。障壁層には、第1導電型のドープ剤をドープすることができ、該障壁層は、1%から15%までの間のインジウム組成を有することができる。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第1導電型層と活性領域との間に形成されるInGaN下部封じ込め層を含む。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第2導電型層と活性領域との間に形成されるInGaN上部封じ込め層を含む。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、上部封じ込め層と活性領域との間に形成されるInGaNキャップ層を含む。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上にある第1導電型層と、0≦x≦0.15としてInxGa1-xNを含み、前記第1導電型層の上にある下部封じ込め層と、前記第1導電型層の上にあるスペーサ層と、量子井戸層とインジウムを含む障壁層とを含む、前記スペーサ層の上にある活性領域と、前記活性領域の上にあるキャップ層と、0≦x≦0.15としてInxGa1-xNを含み、前記キャップ層の上にある上部封じ込め層と、前記キャップ層の上にある第2導電型層と、を備え、前記スペーサ層と前記キャップ層のうちの一つがインジウムを含む、ことを特徴とする発光デバイス。

F-Term (10)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-187210   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-048854   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-328397   Applicant：富士通株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-037826   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-058798   Applicant：株式会社日立製作所