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J-GLOBAL ID：200903093778818195

半導体発光素子およびその製法

Inventor： 筒井 毅 ,  中田 俊次 ,  尺田 幸男 ,  園部 雅之 ,  伊藤 範和
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997048854
Publication number (International publication number)：1998247744
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 基板上に格子定数の異なる半導体層が順次積層される半導体発光素子において、結晶格子のズレを小さくし、電子の移動度を向上させて、発光効率の優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3とp形層5とが積層されることにより発光層を形成する半導体発光素子であって、前記積層される半導体層の下層と上層との境界部に、該下層の組成から順次上層の組成に変化する勾配層13、14、15aが設けられている。

Claim (excerpt)：

基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層とp形層とが積層されることにより発光層を形成する半導体発光素子であって、前記積層される半導体層の下層と上層との境界部に、該下層の組成から順次上層の組成に変化する勾配層が設けられてなる半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-197657   Applicant：コニカ株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233180   Applicant：ローム株式会社
• 3族窒化物化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-099095   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-040592   Applicant：昭和電工株式会社
• III-V族化合物混晶半導体薄膜の気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067331   Applicant：住友電気工業株式会社
• 化合物半導体結晶層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-089597   Applicant：シャープ株式会社