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J-GLOBAL ID：200903039846665551

熱型赤外線センサとその製造方法およびこれを用いた赤外線イメージセンサ

Inventor： 木村 光照 ,  宇田川 賢司
Applicant, Patent owner： 木村 光照 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242675
Publication number (International publication number)：1998185681
Application date： Sep. 08, 1997
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 熱型赤外線センサにおいて、熱容量を変えずに、赤外線受光部の占める面積の割合(開口率)を高め、もって、熱型赤外線センサの温度分解能の向上、高集積化を図る。【解決手段】 熱型赤外線センサ10は、入射した赤外線を熱エネルギーに変換する吸収層と、該変換された熱エネルギーの大きさに応じてその物性値が変化するセンサ部とを含む赤外線受光部10Aを有する。前記赤外線受光部10Aは、架橋部10B、第1の柱部10D,第2の柱部10Eからなる支持部によって、半導体基板1上に空隙Mを介して支持されている。架橋部10B、第1の柱部10D,第2の柱部10Eは、前記赤外線受光部10Aの下方に形成されてその一部又は全部が前記赤外線受光部10Aで覆われる。

Claim (excerpt)：

入射した赤外線を熱エネルギーに変換する吸収層と、該変換された熱エネルギーの大きさに応じてその物性値が変化するセンサ部とを含む赤外線受光部と、少なくとも前記赤外線受光部を半導体基板上に空隙を介して支持するための架橋部を含み、前記赤外線受光部の下方に形成されて少なくともその一部又は全部が前記赤外線受光部で覆われた支持部とを具えたことを特徴とする熱型赤外線センサ。

IPC (2)：

G01J 1/02 ,  G01J 5/02

FI (3)：

G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 Q ,  G01J 5/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 赤外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-342555   Applicant：日本電装株式会社
• ボロメータとその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-262336   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 放射線検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-221688   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド