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J-GLOBAL ID：200903039927419040

シリコン単結晶引上げ装置及び引上げ方法

Inventor：
琴岡 敏朗

About 琴岡 敏朗

, 
最勝寺 俊昭

About 最勝寺 俊昭

, 
中村 浩三

About 中村 浩三


Applicant, Patent owner：
コマツ電子金属株式会社

About コマツ電子金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000160405
Publication number (International publication number)：2001342097
Application date： May. 30, 2000
Publication date： Dec. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 無欠陥結晶(完全結晶)の取得率とその確実性を向上させることができるようなCZ法シリコン単結晶引上げ装置及び方法を提供する。【解決手段】 シリコン融液の中からシリコン単結晶を引上げる単結晶引上げ装置であって、前記シリコン単結晶の周囲を囲繞する熱遮蔽体を備える単結晶引上げ装置でシリコン単結晶の引き上げを行う場合に、シリコン融液の中から引上げられているシリコン単結晶中に無欠陥結晶領域を形成する際に設定されるパラメータについて、少なくとも前記熱遮蔽体底面から融液液面までの距離及び前記シリコン単結晶の引上げ速度については所定の許容幅内に入るように設定してシリコン単結晶の引き上げを行うことによって、無欠陥結晶領域形成の確度を増す。
Claim (excerpt)：
シリコン融液の中からシリコン単結晶を引上げる単結晶引上げ装置であって、前記シリコン単結晶の周囲を囲繞する熱遮蔽体を備える単結晶引上げ装置でシリコン単結晶の引き上げを行う場合に、前記熱遮蔽体底面から融液液面までの距離の変化量を追跡し、当該変化量を最小限に押さえ込むことによって、シリコン単結晶から切出されるシリコンウエハの面内における結晶欠陥分布の再現性を高める方法。
IPC (3)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  C30B 30/04
FI (3)：
C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/20 ,  C30B 30/04
F-Term (7)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG30 ,  4G077EH09 ,  4G077EH10 ,  4G077EJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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