短波長発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098962
Publication number (International publication number)：1995307487
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 300nm以下の波長領域に発光強度のピークを有する短波長発光素子を提供する。【構成】 Bドープされた第1ダイヤモンド層3の下面側には第1電極2が形成されており、この第1ダイヤモンド層3上にはアンドープの第2ダイヤモンド層4が形成されている。第1ダイヤモンド層3及び第2ダイヤモンド層4は、いずれも室温におけるカソードルミネッセンススペクトルにおいて、励起子の再結合発光が観測される高品質なダイヤモンドで形成されている。また、第2ダイヤモンド層4上には第2電極5が形成されている。

Claim (excerpt)：

第1ダイヤモンド層と、この第1ダイヤモンド層に積層され前記第1ダイヤモンド層より高抵抗の第2ダイヤモンド層と、前記第1及び第2ダイヤモンド層に夫々接する第1及び第2電極とを有し、前記第1及び第2電極間に電圧を印加して得られる発光スペクトルは300nm以下の波長領域に発光強度のピークを有することを特徴とする短波長発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (32)

特開平4-240784
特開平3-222376
特開平4-146619

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