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J-GLOBAL ID：200903040021869586

半導体装置及びそれを備えた電子機器並びに半導体装置の製造方法

Inventor：
宗像 浩次

About 宗像 浩次


Applicant, Patent owner：
株式会社フジクラ

About 株式会社フジクラ


Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005040429
Publication number (International publication number)：2006228940
Application date： Feb. 17, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【課題】 はんだバンプと再配線層との接合界面近傍におけるクラックを発生または成長させる虞のあるボイドの影響を少なくすることにより、このボイドに起因するはんだバンプの割れやクラック等の不具合を防止し、デバイスとしての信頼性を高めることができる半導体装置及びそれを備えた電子機器並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のWLCSPは、半導体ウエハ1の表面に絶縁性の樹脂ポスト33が形成され、樹脂ポスト33の上面に深さDが樹脂ポスト33の高さHの50%以上である凹部34が形成され、この凹部34上に第1の再配線層38が形成され、この第1の再配線層38上にはんだバンプ36が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一主面に電極が形成された半導体基板と、この電極を含む半導体基板上の所定位置に形成されかつ上面に凹部が形成された絶縁性の突起状樹脂と、前記凹部に形成され一端部が前記電極に電気的に接続された再配線層と、この再配線層上に搭載されたはんだバンプとを備え、 前記凹部の深さは、前記突起状樹脂の高さの50%以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1)：
H01L 21/60
FI (1)：
H01L21/92 602J
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (3)

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