半導体装置の製造方法及び成膜装置並びに記憶媒体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004304638
Publication number (International publication number)：2005159316
Application date： Oct. 19, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】例えばMOSFETのゲート絶縁膜などの高誘電率膜として有効なハフニウム化合物膜の上にポリシリコン電極を形成するにあたり、フラットバンド電圧のシフトを抑えること。【解決手段】減圧雰囲気且つ加熱雰囲気下において反応容器内にてハフニウム有機化合物の蒸気と例えばジシランガスとを反応させてシリコン膜の上にハフニウムシリケート膜を成膜し、このハフニウムシリケート膜の上にジクロロシランガスと酸化二窒素ガスとを反応させてバリヤ層となるシリコン酸化膜を積層し、その上にゲート電極となるポリシリコン膜を形成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に形成された絶縁膜の上に、この絶縁膜に電圧を印加するための電極を形成した半導体装置を製造する方法において、基板上に原料ガスを反応させてハフニウム化合物膜からなる絶縁膜を成膜する第1の工程と、前記絶縁膜上にハフニウムの拡散を抑えるためのシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるバリヤ膜を成膜する第2の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/316

FI (2)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 M

F-Term (30)：

5F058BA01 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH03 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BK13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

高誘電率材料のための酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-330845 Applicant：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド

Cited by examiner (10)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-255454 Applicant：株式会社日立製作所
MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-094052 Applicant：株式会社東芝
絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-097906 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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