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J-GLOBAL ID：200903040270159670

ZnO透明導電膜及びその製造方法

Inventor： 安井 寛治 ,  齊藤 健次 ,  黒木 雄一郎 ,  高田 雅介
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学
Agent (1)： 芳村 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006184089
Publication number (International publication number)：2008016240
Application date： Jul. 04, 2006
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：

【課題】ZnO膜製造時の物理的なダメージを抑制し、残留能力が小さく良好な結晶性を有し、透明性及び導電性等の性状に優れたZnO透明導電膜、及びその低コストで効率の良い製造方法を提供する。【解決手段】ZnOを主材料として、アルミニウム及びフッ素を共ドープすることによりZnO透明導電膜を構成する。このZnO透明導電膜は、基板を配置した陽極と、Al2O3を含有するZnOとZnF2をターゲットとして配置した陰極の間にメッシュ状のグリッド電極を設け、陰極に高周波電力を印加することにより基板上に形成することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ZnOを主材料として、アルミニウム及びフッ素がドープされていることを特徴とするZnO透明導電膜。

IPC (4)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (4)：

H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/08 C ,  C23C14/34 A

F-Term (19)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC15 ,  4K029DC28 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA08 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-302673   Applicant：株式会社村田製作所
• 酸化亜鉛基薄膜材料の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-228191   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構