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J-GLOBAL ID：200903040319578398

レ-ザ-およびその製造方法

Inventor： 趙 新為 ,  小室 修二 ,  一色 秀夫 ,  青柳 克信 ,  菅野 卓雄
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372032
Publication number (International publication number)：2000196191
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】Si基板上に作成することができ、Si基板上に光メモリなどの光デバイスの製造を可能とするレーザーおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上に形成された酸化膜層の上に希土類元素をドープしたナノ微結晶Si膜層のストライプ構造を作成し、上記希土類元素をドープしたナノ微結晶Si膜層のストライプ構造の上に酸化膜層を堆積し、上記ストライプ構造の上に酸化膜層を堆積した後に劈開を施して光導波路を作成した。

Claim (excerpt)：

Si基板上に形成された希土類元素をドープしたナノ微結晶Si導波路を有するレーザー。

F-Term (7)：

5F073AA64 ,  5F073AB05 ,  5F073AB19 ,  5F073CA24 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073EA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 希土類元素ドープSi材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-132846   Applicant：理化学研究所
• 超微結晶シリコン発光材料、その製造方法、超微結晶シリコン発光材料を用いた素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-054890   Applicant：理化学研究所
• 光増幅装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143644   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー