半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998075937
Publication number (International publication number)：1999274121
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】誘電率の低い層間絶縁膜を備え、配線パターンの精度の高い層間絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】層間絶縁膜を、Siを含有するレジスト膜を硬化させることにより形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成された配線溝と、前記配線溝を埋める導体パターンとを有し、前記層間絶縁膜は、硬化した感光性Si含有レジストよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/304 622 X , H01L 21/312 C , H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-183894 Applicant：旭化成工業株式会社
特開平2-114639
特開平4-181254

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