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J-GLOBAL ID：200903040468918347

低欠陥密度シリコン

Inventor： ファルステル,ロベルト ,  ホルザー,ジョゼフ・シー
Applicant, Patent owner： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998543182
Publication number (International publication number)：2001518874
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 16, 2001
Summary：

【要約】本発明は、凝集真性点欠陥を有さない軸対称領域を有するインゴットまたはウエハ形態の単結晶シリコンおよびそれの製造方法に関する。該方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度v、瞬時軸温度勾配GO、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。インゴットの形態において、軸対称領域は、周囲縁から中心軸に向かって半径方向に測定した場合にインゴットの半径の長さの少なくとも約30%の幅を有する。軸対称領域は、さらに、中心軸に沿って測定した場合にインゴットの直径一定部分の長さの少なくとも約20%の長さを有する。

Claim (excerpt)：

中心軸、中心軸にほぼ垂直な前面および後面、周囲縁、および中心軸からウエハの周囲縁に延在する半径を有する単結晶シリコンウエハであって、該ウエハが、 凝集真性点欠陥を実質的に有さない軸対称領域を有し、該軸対称領域が、ウエハの周囲縁から半径方向に内向きに延在し、周囲縁から中心軸に向かって半径方向に測定される幅を有し、該幅がウエハの半径の長さの少なくとも約40%である単結晶シリコンウエハ。

IPC (2)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502

FI (2)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-158458   Applicant：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-010066   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 半導体単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-188536   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコンウェーハとその製造方法および品質評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-002826   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社