半導体基板の洗浄方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999124162
Publication number (International publication number)：2000315670
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】貴金属または貴金属酸化物を成膜した半導体基板に生じる金属汚染を効果的に除去する方法を提供すること。【解決手段】所定のエッチング速度を有する第1の洗浄液によって洗浄することにより所望の部位以外に付着した貴金属又は貴金属酸化物を前記第1の洗浄液に分散させる工程と、第2の洗浄液によって、再付着した前記貴金属又は貴金属酸化物を除去する工程とにより半導体基板を洗浄する。この場合、貴金属又は貴金属酸化物を成膜する前に予め基板の少なくとも素子形成部以外の部位に酸化膜を形成しておく。第1の洗浄液は、例えばエッチング速度が毎分3nm以上のHF、あるいアルカリ性の液体を用いる。第2の洗浄液は、汚染再付着抑制効果の高い洗浄液を用いる。

Claim (excerpt)：

貴金属または貴金属酸化物を成膜した半導体基板の洗浄方法であって、前記半導体基板を第1の洗浄液によって洗浄することにより所望の部位以外に付着した前記貴金属又は貴金属酸化物を前記第1の洗浄液に分散させる工程と、第2の洗浄液によって、再付着した前記貴金属又は貴金属酸化物を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 , H01L 21/306 , H01L 21/308

FI (4)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 A , H01L 21/308 B , H01L 21/306 B

F-Term (11)：

5F043AA21 , 5F043AA22 , 5F043AA31 , 5F043BB27 , 5F043BB28 , 5F043DD19 , 5F043DD27 , 5F043DD30 , 5F043EE05 , 5F043GG04 , 5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-232805 Applicant：株式会社日立製作所
半導体基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-099236 Applicant：新日本製鐵株式会社
微粒子付着抑制方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243175 Applicant：株式会社日立製作所

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