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J-GLOBAL ID：200903040529254170
フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997349789
Publication number (International publication number)：1999184064
Application date： Dec. 18, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 微細加工精度を改善できるよう最適化がなされたマスクパターンが得られるフォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体を提供すること。【解決手段】 ステップS1で読み込んだCADパターンデータに対しステップS2でデザインルールチェックを行い、光強度シミュレーションを行うパターン部分を抽出する。そして、ステップS3で抽出したCADパターンデータからラスター形式へデータ変換してステップS4で光強度シミュレーションを行う。その後、ステップS5で光強度シミュレーションの結果得られた数値データから所定の値の等高線パターンを抽出し、ステップS6でこの等高線パターンとステップS1で読み込んだCADパターンデータとを重ね合わせ、デザインルールチェックを行って要補正箇所を抽出し、その要補正箇所をステップS7で補正する。
Claim (excerpt)：
CADシステムにより作成されたフォトマスクパターンのCADパターンデータから、光強度シミュレーションを行うパターン部分のCADパターンデータを抽出するパターンデータ抽出手段と、前記抽出されたCADパターンデータに基づいて光強度シミュレーションを行い、該抽出されたCADパターンデータに基づくパターン部分の、投影露光後のパターン光強度分布を求める光強度シミュレーション手段と、前記抽出されたCADパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターンとを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出するパターン比較チェック手段と、前記抽出された要補正箇所において、前記抽出されたCADパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の許容値以下となるように、前記フォトマスクパターンのCADパターンデータを補正するパターン補正手段とを有することを特徴とするフォトマスクパターン設計装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
