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J-GLOBAL ID：200903040564181185

高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法

Inventor： シュエピン・シュ ,  ロバート・ピー・ボード
Applicant, Patent owner： アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
Agent (3)： 河宮 治 ,  鮫島 睦 ,  玄番 佐奈恵
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003503865
Publication number (International publication number)：2004530306
Application date： Jun. 04, 2002
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

ウェーハのGa側における10×10μm2面積内で1nm未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、AlxGayInzN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨(CMP)スラリーを用いて、そのGa側にてCMPに付される。このような高品質AlxGayInzNウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このCMP方法はAlxGayInzNウェーハのGa側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。

Claim (excerpt)：

AlxGayInzN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含むウェーハであって、ウェーハのGa側における10×10μm2面積内で1nm未満の根二乗平均(RMS)表面粗さを特徴とする、ウェーハ。

IPC (3)：

H01L21/304 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

FI (4)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622W ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 D

F-Term (11)：

4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-567830   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-326561   Applicant：日本碍子株式会社
• 特公昭49-013665
  

Cited by examiner (2)

• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-567830   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-326561   Applicant：日本碍子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Final Polishing of Ga-Polar GaN Substrates using Reactive Ion Etching

Cited by examiner (1)

• Final Polishing of Ga-Polar GaN Substrates using Reactive Ion Etching