CVD成膜法における原料化合物の昇華方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：和田憲治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997068964
Publication number (International publication number)：1998025576
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】原料化合物を固体状態から昇華させて成膜させるCVD法において,処理のあいだ固体化合物の露出表面積を一定に維持すること。【解決手段】 CVD用原料化合物をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ,その気化した原料化合物を成膜用反応炉に送気するCVD成膜法において,該固体化合物をフイルム状としてその裏面を非反応性の支持物体で覆い,他方の表面を雰囲気中に露出して昇華表面とすることを特徴とするCVD成膜法における原料化合物の昇華方法。

Claim (excerpt)：

CVD用原料化合物をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ,その気化した原料化合物を成膜用反応炉に送気するCVD成膜法において,該固体化合物をフイルム状としてその裏面を非反応性の支持物体で覆い,他方の表面を雰囲気中に露出して昇華表面とすることを特徴とするCVD成膜法における原料化合物の昇華方法。

IPC (5)：

C23C 16/44 , C30B 25/14 , C30B 29/30 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (5)：

C23C 16/44 C , C30B 25/14 , C30B 29/30 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平1-265511
特開平1-265511
特開昭63-271817

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