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J-GLOBAL ID：200903040937875670

トンネルバリア層およびその形成方法並びにMTJ素子およびその製造方法

Inventor：
洪 成宗

About 洪 成宗

, 
童 茹瑛

About 童 茹瑛


Applicant, Patent owner：
マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド

About マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド


Agent (2)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006346048
Publication number (International publication number)：2007173843
Application date： Dec. 22, 2006
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】MTJ素子に適用して、抵抗変化率dR/Rを大きくできると共に面積抵抗RAを小さくすることが可能なトンネルバリア層およびその製造方法を提供する。【解決手段】ピンド層24上にDCスパッタリング法により厚み1.0〜1.3nmの第1マグネシウム(Mg)層を形成したのち、この第1マグネシウム層をラジカル酸化により酸化して第1酸化マグネシウム(MgO)層31を形成する。更に、磁場中でアニールすることにより第1酸化マグネシウム層31に(001)結晶配向性を持たせる。続いて、この第1酸化マグネシウム層31上に0.3〜0.5nmの第2マグネシウム(Mg)層を形成したのち、この第2マグネシウム層を自然酸化させて第2酸化マグネシウム(MgO)層32を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
DCスパッタリング法により、第1の厚みを有する第1マグネシウム(Mg)層を形成する工程と、 前記第1マグネシウム層をラジカル酸化により酸化して第1酸化マグネシウム(MgO)層を形成する工程と、 方向性を有する磁場中でアニールすることにより前記第1酸化マグネシウム層に(001)結晶配向性を持たせる工程と、 前記第1酸化マグネシウム層上に第2の厚みを有する第2マグネシウム層を形成する工程と、 前記第2マグネシウム層を自然酸化させて第2酸化マグネシウム(MgO)層としてトンネルバリア層を形成する工程と を含むことを特徴とするトンネルバリア層の形成方法。
IPC (4)：
H01L 43/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/316 ,  C23C 14/14
FI (4)：
H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/316 P ,  C23C14/14 D
F-Term (32)：
4K029BA02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC34 ,  4K029EA01 ,  4K029GA02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF73 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (6)
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