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J-GLOBAL ID：200903041000274333

フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法

Inventor： 長谷見 隆司 ,  岩田 恵一 ,  羽田 真由美 ,  池田 英俊
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995205876
Publication number (International publication number)：1997054442
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路の製造工程において低温でかつ短時間に容易にフォトレジストを剥離でき、配線材料を腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法を提供する。【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を10〜70重量%、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体類を1〜40重量%、糖類または糖アルコール類を1〜20重量%、界面活性剤0〜10重量%を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物及び該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。

Claim (excerpt)：

一般式、R1 R2 -NCm H2mOR3 (R1 及びR2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシエチル基、R3 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は2〜4の整数)で表されるアルカノールアミン類、アルコキシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を10〜70重量%、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体類を1〜40重量%、糖類または糖アルコール類を1〜20重量%を含み、残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (2)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-193940   Applicant：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド
• レジスト用剥離液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220410   Applicant：関東化学株式会社
• ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-105186   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社