大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000331633
Publication number (International publication number)：2002141164
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体スイッチング素子を効率的に冷却してその性能を充分に発揮させることにより、大電力用のインバータ回路が容易に得られる大電力用トランジスタインバータ装置を提供する。【解決手段】ヒートシンクに取り付けられた複数の半導体スイッチング素子でその主回路が形成されるインバータ回路を備え、該インバータ回路から出力される高周波電流によってワークを誘導加熱する大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置において、前記ヒートシンクは、半導体スイッチング素子の接合面の裏側に冷却水の流路が形成されると共に、該流路の少なくとも対向する壁面に互いに突出状態でフィンをそれぞれ設けたことを特徴とする。前記フィンは、例えば流路内の冷却水の流通方向に沿って傾斜して設けられる。

Claim (excerpt)：

ヒートシンクに取り付けられた複数の半導体スイッチング素子でその主回路が形成されるインバータ回路を備え、該インバータ回路から出力される高周波電流によってワークを誘導加熱する大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置において、前記ヒートシンクは、半導体スイッチング素子の接合面の裏側に冷却水の流路が形成されると共に、該流路の少なくとも対向する壁面に互いに突出状態でフィンをそれぞれ設けたことを特徴とする大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置。

IPC (3)：

H05B 6/04 321 , H01L 23/473 , H05K 7/20

FI (3)：

H05B 6/04 321 , H05K 7/20 N , H01L 23/46 Z

F-Term (16)：

3K059AA02 , 3K059AA04 , 3K059AA10 , 3K059AB09 , 3K059AD03 , 3K059AD34 , 3K059CD48 , 3K059CD52 , 5E322AA01 , 5E322AA05 , 5E322AA10 , 5E322DA02 , 5E322FA01 , 5F036AA01 , 5F036BA10 , 5F036BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-243812 Applicant：株式会社ミヤデン
特表平6-508911
特開平4-007861

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