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J-GLOBAL ID：200903041155618667

レーザ蒸着法による酸化物化合物薄膜の生成法および生成装置

Inventor：
塚田 一郎

About 塚田 一郎

, 
樋口 貞雄

About 樋口 貞雄


Applicant, Patent owner：
財団法人電力中央研究所

About 財団法人電力中央研究所


Agent (1)： 村瀬 一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002112177
Publication number (International publication number)：2003306764
Application date： Apr. 15, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 結晶基板に付着する元素の欠損を減少させ、ターゲットの化学組成がそのまま保持された酸化物薄膜結晶を生成できるようにする。【解決手段】 酸化物化合物からなるターゲット3と結晶基板2とをチャンバー4内に対向配置し、ターゲット3にレーザ光を照射してプルーム9を発生させ、このプルーム9を結晶基板2に付着させて薄膜結晶を作成する際、チャンバー4内の蒸着媒体ガスとして高純度のオゾンガスを導入してからこのチャンバー4内の圧力を10-2Pa以下の範囲に保持し、レーザ光をターゲット3に照射してプルーム9を発生させる。
Claim (excerpt)：
酸化物化合物からなるターゲットと結晶基板とをチャンバー内に対向配置し、前記ターゲットにレーザ光を照射してプルームを発生させ、このプルームを結晶基板に付着させて薄膜結晶を作成するレーザ蒸着法による酸化物化合物薄膜の生成法において、前記チャンバー内の蒸着媒体ガスとして高純度のオゾンガスを導入してからこのチャンバー内圧力を10-2Pa以下の範囲に保持し、レーザ光を前記ターゲットに照射して前記プルームを発生させることを特徴とするレーザ蒸着法による酸化物化合物薄膜の生成法。
IPC (6)：
C23C 14/28 ZAA ,  C23C 14/08 ,  H01B 3/00 ,  H01B 13/00 565 ,  H01M 4/88 ,  H01M 8/02
FI (6)：
C23C 14/28 ZAA ,  C23C 14/08 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 13/00 565 D ,  H01M 4/88 T ,  H01M 8/02 K
F-Term (27)：
4K029BA50 ,  4K029BC00 ,  4K029BC04 ,  4K029CA02 ,  4K029DB00 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5G303AA07 ,  5G303AB05 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G321AA99 ,  5G321CA21 ,  5G321DB37 ,  5H018AA06 ,  5H018BB07 ,  5H018DD08 ,  5H018EE12 ,  5H018HH05 ,  5H018HH09 ,  5H026AA06 ,  5H026BB04 ,  5H026CX04 ,  5H026EE12 ,  5H026HH05 ,  5H026HH09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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