窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999256452
Publication number (International publication number)：2000299532
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】ガイド層や活性層等の結晶性を向上させ、長波長のレーザ光を得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 n型クラッド層4及び/又はp型クラッド層9が、活性層6に接近するにつれて、Al組成が少なくなるように組成傾斜されているAl<SB>a</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-a</SB>N(0≦a<1)を有する第1の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層6が、In<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)を含んでなる量子井戸構造であり、n型ガイド層5及び/又はp型ガイド層8が、活性層6に接近するにつれて、Inの組成が多くなるように組成傾斜され、但しInの組成が活性層の井戸層のInの組成より少ないようにされているIn<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0≦d<1)を有する第2の窒化物半導体を含んでなる。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともn型クラッド層、n型ガイド層、活性層、p型ガイド層及びp型クラッド層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型及び/又はp型クラッド層が、活性層に接近するにつれて、Al組成が少なくなるように組成傾斜されているAl<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)を有する第1の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層が、In<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)を含んでなる量子井戸構造であり、前記n型及び/又はp型ガイド層が、活性層に接近するにつれて、Inの組成が多くなるように組成傾斜され、但しInの組成が活性層の井戸層のInの組成より少ないようにされているIn<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0≦d<1)を有する第2の窒化物半導体を含んでなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/343 , H01L 33/00 C

F-Term (14)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F073AA51 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA76 , 5F073AA77 , 5F073CA07 , 5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-021557 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364012 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-285404 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (3)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-021557 Applicant：日亜化学工業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-285404 Applicant：日亜化学工業株式会社

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