窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021557
Publication number (International publication number)：1998223983
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【目的】単一の横モードが得られて、閾値電流の低いレーザ素子を実現する。【構成】 p型窒化物半導体層、又はn型窒化物半導体層の少なくとも一方の層側に、InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1の組成、X値及び/又はY値を順次変化させることにより、活性層に接近するに従ってバンドギャップエネルギーが小さくなるように調整された窒化物半導体よりなる組成傾斜層、あるいは、膜厚100オングストローム以下の窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層された多層膜層よりなる組成傾斜層が形成されている。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層、又はn型窒化物半導体層の少なくとも一方の層側には、InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1の組成、X値及び/又はY値を順次変化させることにより、活性層に接近するに従ってバンドギャップエネルギーが小さくなるように調整された窒化物半導体よりなる組成傾斜層が形成されており、さらに最も活性層に接近した側にある組成傾斜層のバンドギャップエネルギーが活性層よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 31/04 , H01L 31/0264 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 31/04 E , H01L 31/08 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置および半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120281 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353351 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-000861 Applicant：株式会社日立製作所

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