高誘電率ゲート誘電体および金属ゲート電極をもつ半導体デバイスの作成方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007544642
Publication number (International publication number)：2008523591
Application date： Dec. 07, 2005
Publication date： Jul. 03, 2008
Summary：

半導体デバイスを作成する方法に関する。該方法は、基板上で二酸化ケイ素層に窒素を加えて窒化二酸化ケイ素層を形成することを含む。窒化二酸化ケイ素層の上に犠牲層を形成したのち、犠牲層が除去されて溝が生成される。窒化二酸化ケイ素層の上で溝の中に高誘電率ゲート誘電体層が形成され、該高誘電率ゲート誘電体層の上に金属ゲート電極が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを作成する方法であって: 基板上に二酸化ケイ素層を形成する段階と; 前記二酸化ケイ素層に窒素を加えて窒化二酸化ケイ素層を形成する段階と; 前記窒化二酸化ケイ素層の上に犠牲層を形成する段階と; 犠牲層を除去して溝を生成する段階と; 前記窒化二酸化ケイ素層の上で前記溝の中に高誘電率ゲート誘電体層を形成する段階と; 前記高誘電率ゲート誘電体層の上に金属ゲート電極を形成する段階、とを有する方法。

IPC (10)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 21/306 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (11)：

H01L29/78 301G , H01L21/283 B , H01L29/58 G , H01L27/08 102C , H01L27/08 321D , H01L21/306 G , H01L21/316 S , H01L21/316 P , H01L21/316 X , H01L21/316 M , H01L29/78 301P

F-Term (90)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB34 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD71 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F043AA09 , 5F043BB01 , 5F043DD19 , 5F043EE05 , 5F043FF01 , 5F043GG02 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB14 , 5F048DA27 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF37 , 5F058BF61 , 5F058BF64 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BD01 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BF27 , 5F140BF30 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG37 , 5F140BG40 , 5F140BG53 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-167046 Applicant：株式会社東芝
特許第6210999号
アンモニア中でのアニールを利用して超薄ゲート絶縁体を確立する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-543768 Applicant：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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