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J-GLOBAL ID：200903054157174892

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法

Inventor：
松尾 浩司

About 松尾 浩司


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002322094
Publication number (International publication number)：2004158593
Application date： Nov. 06, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】しきい値電圧の制御が容易で、かつ、ゲート絶縁膜の信頼性が優れたゲート構造を備えた絶縁ゲート型MISFETを含む半導体装置とその製造方法を提供することにある。【解決手段】NチャネルMISFET領域とPチャネルMISFET領域とを形成し、NチャネルMISFETのゲート電極として第1の金属シリサイド膜115を、PチャネルMISFETのゲート電極として第2の金属シリサイド膜119をもつ構造とする。先ず、第1の金属シリサイド膜115をゲート電極領域に形成した後、PチャネルMISFET領域に第1の金属膜117を形成する。続いて熱処理を行うと、PチャネルMISFETのゲート電極上に形成された第1の金属膜117がその下の第1の金属シリサイド膜115と固相反応を起し、PチャネルMISFETのゲート電極は第2の金属シリサイド膜119に変換される。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体基体と、 前記半導体基体に設けられ第1及び第2の素子領域を囲む素子分離領域と、 前記第1の素子領域に形成されると共に、少なくともゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、第1の金属シリサイドで構成されたNチャネル電界効果トランジスタと、 前記第2の素子領域に形成されると共に、ゲート電極膜が、前記第1の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第2の金属シリサイドと、前記第1の金属シリサイドの構成材料である金属及び前記第1の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第1の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第3の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されたPチャネル電界効果トランジスタを有し、 前記Nチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数が、前記Pチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数よりも小さいことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
IPC (8)：
H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (9)：
H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321E ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 616A
F-Term (152)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG10 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE12 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG31 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA06 ,  5F140AA26 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF32 ,  5F140BF37 ,  5F140BF38 ,  5F140BF40 ,  5F140BG04 ,  5F140BG05 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG41 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK16 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CA10 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE08 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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