半導体表示装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002107216
Publication number (International publication number)：2003302917
Application date： Apr. 09, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】成膜時間を抑えつつ表面の平坦性を得ることができ、水分除去を目的とした加熱処理の処理時間を抑えることができ、なおかつ層間絶縁膜中の水分が隣接する膜または電極に放出されるのを防ぐことができる、層間絶縁膜を有する半導体表示装置の提供を課題とする。【解決手段】該TFTを覆うように、有機樹脂と比較して水分を透過させにくい窒素を含む無機絶縁膜を成膜する。次に、感光性のアクリル樹脂を含む有機樹脂を塗布し、該膜を部分的に露光することで開口する。その後、開口された有機樹脂膜を覆うように、有機樹脂と比較して水分を透過させにくい窒素を含む無機絶縁膜を成膜する。そして、該有機樹脂膜の開口部において、ゲート絶縁膜と、2層の窒素を含む無機絶縁膜とをエッチングにより部分的に開口し、TFTの活性層を露出させる。

Claim (excerpt)：

TFTと、容量とを有する半導体表示装置であって、前記TFTは活性層と、前記活性層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、前記TFTは第1の無機絶縁膜で覆われており、前記第1の無機絶縁膜に接するように、第1の開口部と第2の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、前記有機樹脂膜を覆って第2の無機絶縁膜が形成されており、前記第1及び第2の無機絶縁膜は、前記第1の開口部において接しており、前記第1の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第1及び第2の無機絶縁膜とに、前記活性層が露出するようにコンタクトホールが形成されており、前記第2の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記活性層に接している配線が形成されており、前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第1の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第2の電極と、前記第2の開口部において前記第1の電極及び前記第2の電極と重なっている前記第1及び第2の無機絶縁膜の一部を有しており、前記有機樹脂膜の表面の曲率半径は、前記第1及び第2の開口部から離れるに従って連続的に長くなっていることを特徴とする半導体表示装置。

IPC (5)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1368 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (6)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1368 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 616 S

F-Term (94)：

2H090HA02 , 2H090HB02X , 2H090HB07X , 2H090HC05 , 2H090JA06 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA41 , 2H092JB58 , 2H092KB22 , 2H092KB25 , 2H092NA11 , 3K007AB13 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA46 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094EA05 , 5C094FA02 , 5C094FA03 , 5C094FB01 , 5C094FB02 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB19 , 5C094HA08 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

表示装置および表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196779 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-336709 Applicant：日本鋼管株式会社
液晶表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-354319 Applicant：株式会社東芝

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