半導体面発光レーザ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996093340
Publication number (International publication number)：1997260779
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【目的】1.3μm〜1.55μmで発光する長波長帯の半導体面発光レーザの提供。【構成】n型GaAs基板1上にn型反射膜2、活性層を含む中間層3、5、p型反射膜6を有する面発光レーザ構造において、反射膜2、6の材料をGaAs/AlGaAs系半導体材料の多層膜とし、活性層をInGaAsドット構造(In組成0.2以上)4とする。InGaAs(組成0.2以上)はGaAs/AlGaAs多層反射膜と格子整合しないが、ドット構造にすることによって、欠陥が無くエピタキシャル成長することが可能とされ、例えば1.3μmのバンドギャップを持つInGaAsドットの活性層と、膜厚の制御により反射波長が1.3μmに設計された多層反射膜を使って、1.3μmの面発光レーザが実現できる。

Claim (excerpt)：

活性層を含む中間層と、該中間層の上下に反射膜とを有する、垂直共振器型面発光レーザにおいて、前記活性層が格子不整合系の材料からなるドット構造を有することを特徴とする半導体面発光レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

面型発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-039171 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭5-235473
面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-009718 Applicant：日本電信電話株式会社

Show all

Return to Previous Page