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J-GLOBAL ID：200903041889170275

多結晶シリコン基板の検査方法および太陽電池セルの検査方法、並びに赤外線検査装置

Inventor：
松本 紀久

About 松本 紀久


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (4)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006238915
Publication number (International publication number)：2008058270
Application date： Sep. 04, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：
【課題】多結晶シリコン基板において、クラック部分を他の正常部分と明確に区別して検出することができる多結晶シリコン基板の検査方法を得ることができる。【解決手段】赤外散乱光3は第1の偏光フィルタ6により偏光され、偏光赤外線5が被検体1に照射される。被検体1で反射された偏光赤外線5は、第2の偏光フィルタ7により偏光され、赤外線カメラ4により撮像される。第2の偏光フィルタ7には、偏光方向を調整する偏光方向調整手段17が接続され、赤外線カメラ4が撮像した画像を見ながら、偏光方向調整手段17により、第2の偏光フィルタ7の偏光方向を、クラック部分における反射光が第2の偏光フィルタ7透過してクラック部分が明るい像となり、クラック部分以外の部分からの反射光が撮像されるのが抑制されるように調整して、多結晶シリコン基板におけるクラック部分を検出する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
多結晶シリコン基板に赤外線を照射し、上記多結晶シリコン基板における上記赤外線の反射光を撮像して上記多結晶シリコン基板のクラック部分を検出する多結晶シリコン基板の検査方法において、上記多結晶シリコン基板に偏光赤外線を照射し、上記多結晶シリコン基板における上記偏光赤外線の反射光を、偏光特性に基づいて選択して撮像することにより、上記多結晶シリコン基板のクラック部分を検出することを特徴とする多結晶シリコン基板の検査方法。
IPC (2)：
G01N 21/956 ,  H01L 31/04
FI (2)：
G01N21/956 A ,  H01L31/04 K
F-Term (12)：
2G051AA51 ,  2G051AB03 ,  2G051BA06 ,  2G051BA11 ,  2G051BB01 ,  2G051BB07 ,  2G051CA04 ,  2G051CB02 ,  2G051CB05 ,  2G051CC07 ,  5F051AA03 ,  5F051KA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • ウエハ及びソーラセルの欠陥検出用光照射検査システム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067193   Applicant：スペースシステムズ/ローラルインコーポレイテッド
  • J.R.Hodor,H.J.Decker,Jr.J.Barney : Infrared technology comes to state-of-the-art solar array production,SPIE Vol.819 Infrared Technology VIII (1987) p.22-p.29
Cited by examiner (9)
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